Високо ефикасан СиЦ МОСФЕТ за апликације за претварање енергије високог напона

Наша серија МОСФЕТ-а од силицијум-карбида (СиЦ МОСФЕТ) је дизајнирана за{0}}апликације за пребацивање снаге високих перформанси које захтевају могућност високог напона, мале губитке у проводљивости, велику брзину пребацивања и одличну термичку стабилност.

Засновани на напредној 4Х-СиЦ широкопојасни полупроводничкој технологији, ови СиЦ транзистори снаге пружају супериорне електричне перформансе у поређењу са традиционалним силицијумским МОСФЕТ-овима и ИГБТ-овима, што их чини идеалним за ЕВ пуњаче, соларне претвараче, системе за складиштење енергије, индустријска напајања, моторне погоне и високо{2}}претвараче снаге.

Породица производа обухвата:

* 650В СиЦ МОСФЕТ
* 1200В СиЦ МОСФЕТ
* 1700В СиЦ МОСФЕТ
* Лов РДС(он) опције од 15мΩ до 160мΩ
* Висока струјна способност до 119А
* Радна температура споја до 175 степени

Продуцт Хигхлигхтс

Могућност блокирања високог напона

СиЦ МОСФЕТ серија пружа високе напонске оцене:

Примена класе напона
650В СиЦ МОСФЕТ Индустријско напајање, ЕВ пуњење, ПФЦ, напајање сервера
1200В СиЦ МОСФЕТ Соларни инвертер, ЕСС, УПС, високи напон ДЦ/ДЦ
1700В СиЦ МОСФЕТ Индустријски моторни погон, енергетски системи високог напона

Карактеристике широког појаса силицијум карбида омогућавају рад на вишем напону, брже пребацивање и побољшану ефикасност у системима за конверзију енергије.

Кључне предности

1. Низак РДС(укључено) – Смањен губитак проводљивости

Са оптимизованом структуром СиЦ чипа, ови МОСФЕТ-ови постижу ултра-мали одвод-отпор извора:

* РДС(он): 15мΩ / 20мΩ / 32мΩ / 40мΩ / 50мΩ / 60мΩ
* Смањен губитак снаге проводљивости
* Већа ефикасност система
* Побољшане термичке перформансе

Нижи РДС(укључено) помаже у смањењу производње топлоте и побољшава густину снаге у апликацијама велике{0}}е снаге.

2. Ултра-перформансе брзог пребацивања

СиЦ МОСФЕТ технологија нуди:

* Могућност високе фреквенције пребацивања
* Мали губитак енергије при пребацивању
* Ниска наплата капије
* Смањен ЕМИ стрес
* Мање пасивне компоненте

У поређењу са конвенционалним силицијумским уређајима, СиЦ МОСФЕТ-ови омогућавају компактнији и ефикаснији дизајн претварача снаге.

3. Поузданост високе температуре

Дизајниран за захтевна индустријска окружења:

* Радна температура споја:
-55 степени до +175 степени

Предности:

* Стабилан рад на високој температури
* Побољшана поузданост система
* Смањени захтеви за хлађењем

4.Лов Гате Цхарге Десигн

Типична накнада за улаз:

* Кг: 39нЦ ~ 222нЦ

Предности:

* Брже укључивање-укључивање/искључивање-
* Мања потрошња енергије возача
* Боља ефикасност пребацивања

Главне спецификације производа

Параметар	Валуе
Полупроводнички материјал	силицијум карбид (СиЦ)
Тип уређаја	Н-канални СиЦ МОСФЕТ
Волтаге Ратинг	650V / 1200V / 1700V
Драин Цуррент	6.4A ~ 119A
РДС(укључено)	15mΩ ~ 1000mΩ
Напон прага капије	2.8V ~ 4.5V
Гате Цхарге	15.8нЦ ~ 222нЦ
Радна температура	-55 степени ~ +175 степен
Опције пакета	ТО-247, ТО-247-4, ТО-263

Доступни СиЦ МОСФЕТ модели

650В СиЦ МОСФЕТ серија

Модел	ВДС	РДС(укључено)	ИД
РТСХ/К0406СМ1	650V	40mΩ	72A
РТСХ/К0606СМ1	650V	60mΩ	50A
РТСК0406СМ1З	650V	40mΩ	72A
РТСК0606СМ1З	650V	60mΩ	50A

Пакет:

* ТО247-3/4
* ТО247-4

1200В СиЦ МОСФЕТ серија

Високонапонски уређаји оптимизовани за:

* Соларни ПВ инвертер
* Систем за складиштење енергије батерије
* ЕВ систем за пуњење
* Индустријска конверзија снаге

Типични модели:

Модел	РДС(укључено)	ИД
РТСХ/К050120М1	50mΩ	58A
РТСХ/К080120М1	80mΩ	38A
РТСХ/К160120М1	160mΩ	19A
РТСК015120М1	15mΩ	117A
РТСК020120М1	20mΩ	119A
РТСК032120М1	32mΩ	75A
РТСК050120М1	40mΩ	68A

Пакети:

* ТО247-4
* ТО263-7
* ТО247-3

1700В СиЦ МОСФЕТ серија

Дизајниран за апликације високог напона:

Модел Волтаге РДС(он) Цуррент

Модел	Волтаге	РДС(укључено)	Цуррент
РТСК045170М1	1700V	45mΩ	72A
РТСК100170М1	1700V	1000mΩ	6.7A

Апликације:

* Индустријски инвертер
* Високонапонски ДЦ системи
* Опрема за обновљиву енергију
* Системи за конверзију енергије

Опције пакета

ТО-247 Пакет
ТО-247-4 Келвин пакет
ПУТАРИНА / ТО-263 пакет

Предности:

* Компактан дизајн
* Велика густина снаге
* Погодно за апликације{0}}са ограниченим простором

Типичне апликације

Системи за пуњење електричних возила
Соларни инвертер
Систем за складиштење енергије (ЕСС)

Индустријски моторни погони
УПС и напајање за дата центар
СиЦ МОСФЕТ технологија омогућава:

Зашто одабрати наш СиЦ МОСФЕТ?

✔ Напредна технологија полупроводника од силицијум карбида
✔ Широк опсег напона: 650В / 1200В / 1700В
✔ Ултра-низак РДС(укључено) за уштеду енергије

✔ Брзе перформансе пребацивања
✔ Рад на високој температури до 175 степени
✔ Доступно је више индустријских пакета
✔ Прилагођена решења доступна за ОЕМ купце

Popularne oznake: сиц транзистори са ефектом поља, Кина произвођачи, добављачи транзистори са ефектом поља сиц